FDN335N MOSFET
制造商:
onsemi
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SSOT-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
20 V
Id-连续漏极电流:
1.7 A
Rds On-漏源导通电阻:
55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
400 mV
Qg-栅极电荷:
5 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
500 mW
通道模式:
Enhancement
商标名:
PowerTrench
系列:
FDN335N
封装:
Reel
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
商标:
onsemi / Fairchild
配置:
Single
下降时间:
8.5 ns
正向跨导 - 最小值:
7 S
高度:
1.12 mm
长度:
2.9 mm
产品:
MOSFET Small Signal
产品类型:
MOSFET
上升时间:
8.5 ns
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
晶体管类型:
1 N-Channel
类型:
MOSFET
典型关闭延迟时间:
11 ns
典型接通延迟时间:
5 ns
宽度:
1.4 mm
零件号别名:
FDN335N_NL
单位重量:
30 mg