SI7611DN-T1-GE3原装现货22+

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 41 nC
最小工作温度: - 50 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 39 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI7
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 9 ns, 12 ns
正向跨导 - 最小值: 25 S
高度: 1.04 mm
长度: 3.3 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns, 150 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 28 ns, 30 ns
典型接通延迟时间: 10 ns, 47 ns
宽度: 3.3 mm
零件号别名: SI7611DN-GE3
单位重量: 1 g