技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A，18A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
24nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1605pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
Power56
基本产品编号
FDMS3669
