FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
142 毫欧 @ 8.9A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.7V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
15 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
496 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-41
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IMW65R107
