FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.4 毫欧 @ 20A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
6.8nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
830pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
