类别
分立半导体产品
单 FET,MOSFET
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
163A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18 毫欧 @ 75A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.3V @ 25mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
283 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
+22V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4790 pF @ 325 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
643W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
NTHL015