STP11NK50Z

参数名称 参数值
Source Content uid STP11NK50Z
Brand Name STMicroelectronics
生命周期 Active
Objectid 1943676846
零件包装代码 TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 50 weeks
风险等级 2.19
Samacsys Description STP11NK50Z, N-channel MOSFET Transistor 10 A 500 V, 3-Pin TO-220
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2022-07-08 14:47:23
YTEOL 6.08
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas） 190 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 10 A
最大漏极电流 (ID) 10 A
最大漏源导通电阻 0.52 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子面层 MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON