STP24N60M2

参数名称 参数值
Source Content uid STP24N60M2
Brand Name STMicroelectronics
生命周期 Active
Objectid 1274610568
包装说明 ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
风险等级 2.18
Samacsys Description STP24N60M2 N-Channel MOSFET, 18 A, 650 V MDmesh M2, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2022-07-08 14:47:23
YTEOL 8.13
雪崩能效等级（Eas） 180 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (ID) 18 A
最大漏源导通电阻 0.19 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 72 A
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON