IKQ75N120CH3

IKQ75N120CH3

类型描述选择
类别 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 -
包装 管件
产品状态 在售
IGBT 类型 -
电压 - 集射极击穿（最大值） 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 150 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 2.35V @ 15V，75A
功率 - 最大值 938 W
开关能量 6.4mJ（开），2.8mJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 370 nC
25°C 时 Td（开/关）值 34ns/282ns
测试条件 600V，75A，6 欧姆，15V
工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3-46
基本产品编号 IKQ75N120