STGWA40H65DFB

类别 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 HB
包装 管件
产品状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值） 650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 2V @ 15V，40A
功率 - 最大值 283 W
开关能量 498μJ（开），363μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 210 nC
25°C 时 Td（开/关）值 40ns/142ns
测试条件 400V，40A，5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr) 62 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247 长引线
基本产品编号 STGWA40