N沟道MOSFETPNM523T30V01 SOT-523
描述
PNM523T30V01是为高速开关应用而设计的增强型MOS是非常高密度的单元和漏源击穿电压VDSS ID=10μA，VGS=0V 30--V
零栅极电压漏极电流IDSS VDS=30V，VGS=0V--1μA
门体泄漏电流IGSS VDS=0V，VGS=±20V---±1μA
栅极阈值电压VGS（th）VDS=VGS，ID=250μA 0.5-1.5 V
静态漏源导通电阻RDS（On）
VGS=2.5V，ID=1mA 6.5 9Ω
VGS=2.5V，ID=10mA 7.9Ω
VGS=4V，ID=10mA-46Ω
VGS=10V，ID=100mA-35Ω
正向跨导gFS VDS=5V，ID=0.1A-0.2-S
源漏二极管正向电压VFSD（V）ID=100mA，VGS=0V 0.75 1V
BZA968A ESD静电二极管
BZA456A
MB6S
PDYL240B-SOD323
XC6401FF58MR ESD静电二极管
CS0806N
CS0806U
CS0806S
SE350
SN74AHC1GU04DCKR 贴片三极管
BZX584C22-02VGS08
BZX584C9V1 ESD静电二极管
2SC3355KAT ESD静电二极管
UDZS TE-17 13B 贴片三极管
AZ5A25-01F ESD静电二极管
VRS0402SR180100N ESD静电二极管
PLR0504F-LF-T7
DMN2015UFDE-7 其他被动元件
RHU002N06 T106 贴片三极管
WSB5543W-2/TR
ERJ1GEJ201C
ERJ1GEJ301C
ERJ1GEJ431C
ERJ1GEJ330C
ERJ1GEJ202C
ERJ1GEF394C
ERJ1GEJ102C
ERJ1GEF104C
ERJ1GEF683C
ERJ1GEJ332C
MMBTH10-7-F 三极管
2SC3053-T122-1D
2SA812-T1B 其他被动元件
TK11228BM
picoSMD035F
SPX090F
ESDR0524PMUTAG
ESDR0502NMUTAG
1N60 ESD静电二极管
SMF24CA
LGSOT36CLT1G
SMBJ7.0A
SMBJ7.5A
SMBJ7.5CA
SMBJ7.0CA
TR034K53DE01
MA745-(TX)
