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制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 6.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 600 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 18 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 60 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 25 ns
高度: 15.49 mm
长度: 10.41 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 29 ns
系列: IRF
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 9.6 ns
宽度: 4.7 mm
零件号别名: IRF9520PBF-BE3
单位重量: 2 g
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LM7705MME TI
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