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制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 6.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 190 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 190 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 36 ns
正向跨导 - 最小值: 5.4 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
系列: IRFPG
500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 130 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
单位重量: 6 g
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LM334MX TI
LM334MX/NOPB TI
LM334SM/NOPB TI
LM334SMX TI
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LM334Z/NOPB TI
LM3350MM TI
LM3350MMX TI
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LM3886TF TI
LM3886TF/LM4766T TI
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LM392DGKR TI
LM392DR TI
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LM392MX TI
LM392MX/NOPB TI
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LP2981-33DBVR TI
LP2981-33DBVRG4 TI
LP2981-33DBVT TI
LP2981-50DBVR TI
LP2981-50DBVRG4 TI
LP2981-50DBVT TI
LP2981-50DBVTG4 TI
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LP2981A-28DBVT TI
LP2981A-29DBVR TI
LP2981A-30DBVR TI
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LP2981A-33DBVR TI
LP2981A-33DBVRG4 TI
LP2981A-33DBVT TI
LP2981A-50DBVR TI
LP2981A-50DBVRG4 TI
LP2981A-50DBVT TI
LP2981AIM5-2.5 TI
LP2981AIM5-2.5/NOPB TI
LP2981AIM5-2.7 TI
LP2981AIM5-2.8 TI
LP2981AIM5-2.8/NOPB TI
LP2981AIM5-2.9 TI
