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制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 21 A
Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 57 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 227 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 35 ns
高度: 20.82 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
系列: E
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 66 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
宽度: 5.31 mm
单位重量: 6 g
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AM26LV31ID TI
AM26LV31IDR TI
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AM26LV32C TI
AM26LV32CD TI
AM26LV32CDR TI
AM26LV32CDRG4 TI
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AM26S10C TI
AM26S10CDR TI
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AM28F010-150JC TI
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ACT11244 TI
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ACT16245 TI
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ACT240 TI
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ACT244M TI
ACT245 TI
ACT245M TI
ACT273M TI
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ADC10040QCIMT TI
ADC10040QCIMTX/NOPB TI
