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SIHW30N60E-GE3

发布时间:2021/10/13 14:32:00 访问次数:110发布企业:深圳市腾桩电子有限公司

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 29 A
Rds On-漏源导通电阻: 125 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V
Qg-栅极电荷: 85 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
封装: Bulk
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 36 ns
高度: 20.82 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 32 ns
系列: E
工厂包装数量: 480
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 63 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
宽度: 5.31 mm
单位重量: 4 g

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ADC0848CCN/NOPB TI
ADC0848CCVX/NOPB TI
ADC084S021CIMM/NOPB TI
ADC084S021CIMMX TI
ADC084S051CIMMX TI
ADC084S101CIMMX TI
ADC08831IMX/NOPB TI
ADC08832IM TI
ADC08832IMMX TI
ADC08832IMX TI
ADC08832IMX/NOPB TI
ADC088S022CIMTX/NOPB TI
ADC088S052CIMTX/NOPB TI
ADC088S102CIMTX/NOPB TI
ADC08B200CIVS TI
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