STM32F429AGH6TR

STM32F429AGH6TR上述现象是所有自激式开关电源的痼疾。这种现象不只反映在输人电压的变化上，负载电流的增大和减少对应于输入电压的降低和升高，对振荡电路的影响是等效的。因负载电流的减小，使储能电压放电电路的负载阻抗升高，在存储能量不变的条件下，储能电感形成自感电势也会升高。虽然由此引起的输出电压升高趋势被取样系统、脉宽调制器通过进一步臧小脉冲宽度使输出电压稳定，但脉宽调制过程却不能改变开关脉冲的幅度，只是通过臧小脉宽使滤波后平均值不变。此点正是所有脉宽调制(PWM)、 占空比调制(PCM) 和频率调制(PFM)开关电源的共同弱点。

基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

STM32F429AGH6TR属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

带DSP和FPU，具有1 MB Flash、180 MHz CPU和ART加速器。

具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。

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STM32F429AGH6TR参数
料号 STM32F429AGH6TR
特性 带DSP和FPU的高性能gao级系列ARM Cortex-M4 MCU，具有1 MB Flash、180 MHz CPU、ART加速器、Chrom-ART加速器、TFT、带SDRAM的FMC和TFT
状态 Active
封装 UFBGA 169 7x7x0.6 P 0.5 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 180
程序存储器大小 (kB) 1024
双组闪存 true
数据RAM大小(kB) 256
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 3
通道数量 20
D/A转换器 2
输入/输出端数量 130
显示控制器 LCD TFT Controller
CAN接口数量 2
I2C接口数量 3
SPI接口数量 5
I2S接口数量 2
USART接口数量 4
UART接口数量 4
存储器扩展接口 FMC
USB类型 USB OTG FS + USB OTG FS/HS
加密技术 -
TRNG -
电源电压 (V) min 1.8
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.7
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 208
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85
STM32F429AGH6TR电路原理图" alt="STM32F429AGH6TR电路原理图" />
XC3S5000-4FGG676I
XC7Z007S-1CLG225C
EP3C55F484C8N
5CGXFC4C7F23C8N
XCF32PVOG48C
XCF04SVOG20C
XC6SLX16-2CSG225I
XC6VLX75T-2FFG784I
EPM2210F256C5N
EP3C55F484C8N
XC6SLX100-3FGG484I
XC6SLX9-2TQG144I
XCVU3P-1FFVC1517I
XCKU15P-1FFVE1760I
XCKU085-1FLVB1760I
EP4CE40U19I7N
EP1S80F1508I7
10AS027E3F29E2LG

EP4CE40F29I7N

STM32F429AGH6TR

EP4CE40F29C8N
EP4CE40F29C7N
5CEFA7F31C8N
XC4010E-3PQG160I
XA7Z020-1CLG484Q
EP2C5T144I8N
EP1C3T144C8N
XC3S200A-5FTG256C
EP4CE22F17I7N
EPM3128ATC100-10N
XC3S1000-4FTG256C