STM32F429IIT6J

另一点是在正反馈量设定电路中选用阻值较大的Rz。当STM32F429IIT6J启动成功后，如果电源负载小于额定值，由于储能电感负载阻抗升高，正反馈电压也较高，开关电源可以维持振荡，且在负载减小的情况下输出额定电压。如果加上额定负载，则R。的设置使正反馈电流极.小，以至Q:处于Ig.B<Ic的欠激励状态，开关电源将在-个启动周期后停止振荡。为了使开关电源能连续工作，此类电源采用更大电流的行逆程脉冲。如果行扫描电路正常，开关电源启动后，行扫描电路随之工作，将行逆程脉冲加到Q,的基极，使Q,完全进人饱和状态，开关电源正常工作于额定负载下。此类设计目的是，当行扫描电路出现短路性故障时(例如行输出变压器不同程度的匝间短路)，负载电流增大的同时，行逆程脉冲幅度减小，开关管不能维持振荡，实现停机保护。

基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

STM32F429IIT6J属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

带DSP和FPU，具有2 MB Flash、180 MHz CPU和ART加速器。

STM32F429IIT6J具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。

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STM32F429IIT6J参数
料号 STM32F429IIT6J
特性 带DSP和FPU的高性能gao级系列ARM Cortex-M4 MCU，具有2 MB Flash、180 MHz CPU、ART加速器、Chrom-ART加速器、TFT、带SDRAM的FMC和TFT
状态 Active
封装 LQFP 176 24x24x1.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 180
程序存储器大小 (kB) 2048
双组闪存 true
数据RAM大小(kB) 256
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 3
通道数量 24
D/A转换器 2
输入/输出端数量 140
显示控制器 LCD TFT Controller
CAN接口数量 2
I2C接口数量 3
SPI接口数量 6
I2S接口数量 2
USART接口数量 4
UART接口数量 4
存储器扩展接口 FMC
USB类型 USB OTG FS + USB OTG FS/HS
加密技术 -
TRNG -
电源电压 (V) min 1.8
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.7
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 208
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85
STM32F429IIT6J电路原理图" alt="STM32F429IIT6J电路原理图" />
XC95144XL-5TQG144C
XCF01SVOG20C
XC3S200-4PQG208C
XC3S50A-4TQG144C
XC18V02VQG44C
XC3S700A-4FTG256I
EPM240F100C5N
EP3C16U256C8N
EPC16QC100N
EPM7064STI100-7
EP1K100FI484-2N
XC2C64A-7VQG44C

5CGTFD7C5U19I7N

STM32F429IIT6J

EP2SGX130GF1508C4N
EP4CE40F23C8LN
EP1AGX50DF780I6N
EP2SGX30DF780I4N
XC6SLX75T-2FGG484I
XCKU040-2FFVA1156I
EPM3128ATI144-10
EPM3128ATI144-10N
XC95144XL-10TQG100C
XC95144XL-10TQG144C
XCF01SV0G20C
XC2S150-6PQG208C
XC3S200AN-4FTG256C
EPM7160STI100-10N
EP1C6Q240C8N
XC7A200T-2FFG1156I
EPC1441PI8