检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。但由于大功率达林顿管内部设置了 V3、R1、R2 等保护和泄放漏电流元件，所以在检测量应将这些元件对测量数据的影响加以区分，以免造成误判。STM32F413MHY6TR具体可按下述几个步骤进行：
A 用万用表 R×10K 挡测量 B、C 之间 PN 结电阻值，应明显测出具有单向导电性能。正、反向电阻值应有较大差异。
B 在大功率达林顿管 B－E 之间有两个 PN 结，并且接有电阻 R1 和 R2。用万用表电阻挡检测时，当正向测量时，测到的阻值是 B－E 结正向电阻与 R1、R2 阻值并联的结果；当反向测量时，发射结截止，测出的则是(R1＋R2)电阻之和，大约为几百欧，且阻值固定，不随电阻挡位的变换而改变。但需要注意的是，有些大功率达林顿管在 R1、R2、上还并有二极管，此时所测得的则不是(R1＋R2)之和，而是(R1＋R2)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。
STM32F413MH基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。
它由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。
STM32F413MH属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。
它带DSP和FPU，具有1,5 MB Flash、100 MHz CPU和ART加速器。
STM32F413MH具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。
如有需要，欢迎联系，电话：0755-82524647，手机/微信：13049865222，QQ：1711624997。
STM32F413MHY6TR" alt="STM32F413MHY6TR" /> STM32F413MHY6TR参数
料号 STM32F413MHY6TR
特性 带DSP和FPU的高性能基本型系列ARM Cortex-M4 MCU，具有1,5 MB Flash、100 MHz CPU、ART加速器和DFSDM
状态 Active
封装 WLCSP 81 4.1x4x0.6 P 0.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 100
程序存储器大小 (kB) 1536
双组闪存 false
数据RAM大小(kB) 320
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 1
通道数量 16
D/A转换器 2
输入/输出端数量 60
显示控制器 -
CAN接口数量 3
I2C接口数量 3
SPI接口数量 5
I2S接口数量 5
USART接口数量 4
UART接口数量 3
存储器扩展接口 FSMC,Quad SPI
USB类型 USB OTG FS
加密技术 -
TRNG true
电源电压 (V) min 1.7
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.1
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 112
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85
STM32F413MHY6TR电路原理图" alt="STM32F413MHY6TR电路原理图" />作为ST代理分销商，深圳西昂特科技备有STM32F413MHY6TR现货并提供样品零售。公司承诺所有产品均为原装，图片批次仅为参考，新批次随时更新，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员，我们将为你详细解答。如需技术支持，请向西昂特科技技术部寻求选型支持。
深圳西昂特科技除了以上STM32F413MHY6TR以外，还提供多种规格多种品牌的32.768KHZ，16MHZ，20MHZ，24MHZ，30 MHz等频率晶体及有源或温补晶振，时钟芯片，陀螺仪传感器，滤波器，双工器，连接器等。如有需要，欢迎垂询。
GD32F417ZGT6
GD32F423CHU3
GD32F423CHU6
GD32F423MHY3
GD32F423MHY6
GD32F423RHT3
GD32F423RHT6
GD32F423VHI3
GD32F423VHT3
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GD32F423ZHI3
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GD32F427AGI6
GD32F427AII6
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GD32F427III7
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GD32F427IIT7
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GD32F427VIT6
GD32F427VIT7GD32F427ZGT6
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GD32F427ZIT7
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