描述：STP10NK60ZFP
这些设备受N通道齐纳保护功率MOSFET的开发使用意法半导体的SuperMESH™技术，通过优化ST完善的基于条带PowerMESH™布局可以实现。 在除了可以大大降低导通电阻之外，该器件还可以确保最高的dv / dt能力苛刻的应用。
特性：STP10NK60ZFP
■极高的dv / dt功能
■经过100％雪崩测试
■栅极电荷最小化
■齐纳保护
应用领域：STP10NK60ZFP
■切换应用
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220FP-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:10 A
Rds On-漏源导通电阻:750 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Qg-栅极电荷:50 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:35 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:SuperMESH
封装:Tube
高度:16.4 mm
长度:10.4 mm
系列:STP10NK60ZFP
晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET
类型:MOSFET
宽度:4.6 mm
商标:STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值:7.8 S
下降时间:30 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:20 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:55 ns
典型接通延迟时间:20 ns
单位重量:2.040 g
