描述：STP3NK90Z
这些高压器件是齐纳保护的N沟道功率MOSFET由意法半导体（STMicroelectronics）使用SuperMESH™技术开发，优化完善的PowerMESH™。 除了重大些器件旨在降低导通电阻，以确保高水平的dv / dt最苛刻的应用程序的能力。
特性：STP3NK90Z
•极高的dv / dt功能
•经过100％雪崩测试
•栅极电荷最小化
•极低的固有电容
•齐纳保护
应用领域：STP3NK90Z
•切换应用
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:900 V
Id-连续漏极电流:3 A
Rds On-漏源导通电阻:4.8 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Qg-栅极电荷:22.7 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:90 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:SuperMESH
封装:Tube
高度:9.15 mm
长度:10.4 mm
系列:STP3NK90Z
晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET
类型:MOSFET
宽度:4.6 mm
商标:STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值:2.7 S
下降时间:18 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:7 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:45 ns
典型接通延迟时间:18 ns
单位重量:1.438 g
