描述：IRF7815TRPBF
150V正极N通道HEXFET功率MOSFET，采用SO-8封装优势：IRF7815TRPBF
优化分销合作伙伴的广泛可用性
根据JEDEC标准进行产品验证
逻辑针对的10V电压驱动电压（称为正常预设）优化，能够在5V电压下驱动电压下驱动
工业标准表面安装封装
能够进行波峰焊
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 5.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 34 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 25 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.9 mm
商标: Infineon / IR
正向跨导 - 最小值: 8.2 S
下降时间: 8.3 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.2 ns
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 14 ns
典型接通延迟时间: 8.4 ns
单位重量: 506.600 mg
