描述：IRFL210TRPBF
Vishay的第三代功率MOSFET提供了快速切换的最佳组合的设计师，
坚固的设备设计，低导通电阻和
成本效益。
SOT-223封装专为表面安装而设计
使用气相，红外或波峰焊技术。
其独特的包装设计可轻松实现自动化
像其他SOT或SOIC封装一样进行取放
具有改善热性能的附加优势
由于散热片的扩大。 功耗
在典型的表面贴装中可能大于1.25 W
应用。
特征：IRFL210TRPBF
• 表面贴装
•提供卷带包装
•动态dV / dt额定值
•重复雪崩等级
•快速切换
•易于并联
•简单的驱动要求
•物料分类：
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 960 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 8.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.8 mm
长度: 6.5 mm
系列: IRFL
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.5 mm
商标: Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值: 0.51 S
下降时间: 8.9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 14 ns
典型接通延迟时间: 8.2 ns
单位重量: 250 mg
