描述:IS61LV2568L-10TL
ISSI IS61LV2568L是一种非常高速，低功耗的产品，262144字乘8位CMOS静态RAM。 IS61LV2568L采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可产生更高的性能和低功耗设备。当CE为高电平（取消选择）时，设备假定待机模式下功耗可以达到通过CMOS输入电平可降低至36mW（最大值）。IS61LV2568L采用3.3V单电源供电电源和所有输入均兼容TTL。IS61LV2568L提供36引脚400密耳SOJ和44引脚TSOP（II型）封装。
特征：IS61LV2568L-10TL
•高速访问时间：8、10 ns
•工作电流：50mA（典型值）
•待机电流：700μA（典型值）
•多个中心电源和接地引脚，用于更高的抗噪能力
•通过CE和OE轻松扩展内存
选项
•CE掉电
•TTL兼容输入和输出
•3.3V单电源
•可用软件包：
– 36针400毫米SOJ
– 44引脚TSOP（II型）
•无铅
制造商:ISSI
产品种类:静态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
存储容量:2 Mbit
组织:256 k x 8
访问时间:10 ns
接口类型:Parallel
电源电压-最大:3.63 V
电源电压-最小:2.97 V
电源电流—最大值:60 mA
最小工作温度:0 C
最大工作温度:+ 70 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOP-44
封装:Tray
数据速率:SDR
系列:IS61LV2568L
类型:Asynchronous
商标:ISSI
端口数量:1
湿度敏感性:Yes
产品类型:SRAM
工厂包装数量:135
子类别:Memory & Data Storage
