描述：IS62WV5128BLL-55HLI
ISSI IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态RAM，按以下方式组织为512K字：8位。它是使用ISSI的高性能制造的CMOS技术。这个高度可靠的过程采用创新的电路设计技术，可以生产出高性能和低功耗的设备。CS1为高电平（取消选择）时，设备假定待机模式下功耗可以达到降低了CMOS输入电平。使用芯片启用功能可轻松扩展内存和输出使能输入。低电平有效写使能（WE）控制存储器的写入和读取。封装了IS62WV5128ALL和IS62WV5128BLL在JEDEC标准的32引脚TSOP（TYPE I），32引脚中sTSOP（I型），32引脚TSOP（II型），32引脚SOP和36引脚迷你BGA。
特征：IS62WV5128BLL-55HLI
•高速访问时间：55ns，70ns
•CMOS低功耗运行（典型）36 mW（工作）9 μW（典型）CMOS待机
•TTL兼容接口级别
•单电源1.65V – 2.2V Vdd（IS62WV5128ALL）2.5V – 3.6V Vdd（IS62WV5128BLL）
•完全静态操作：无需时钟或刷新
•三态输出
•可提供工业温度
•无铅
制造商:ISSI
产品种类:静态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
存储容量:4 Mbit
组织:512 k x 8
访问时间:55 ns
最大时钟频率:18 MHz
接口类型:Parallel
电源电压-最大:3.6 V
电源电压-最小:2.5 V
电源电流—最大值:15 uA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:sTSOP-32
封装:Tray
数据速率:SDR
系列:IS62WV5128BLL
类型:Asynchronous
商标:ISSI
端口数量:1
湿度敏感性:Yes
产品类型:SRAM
子类别:Memory & Data Storage
单位重量:454 m
