描述：IRFB4615PBF
采用TO-220AB封装的150V单N沟道HEXFET功率MOSFET
好处：IRFB4615PBF
改进的Gate，雪崩和动态dV / dt
坚固性
完全表征的电容和雪崩
SOA
增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅
应用领域：IRFB4615PBF
SMPS中的高效同步整流
不间断电源
高速电源开关
硬开关和高频电路
制造商: Infineon
产品种类: MOSFETRoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 35 A
Rds On-漏源导通电阻: 32 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 26 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 144 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon / IR
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
单位重量: 6 g
