描述：IRFB20N50KPBF
功率MOSFET
IRFB20N50K，SiHFB20N50K
Vishay Siliconix
特征：IRFB20N50KPBF
•低栅极电荷Qg可实现简单驱动
需求
•改进的Gate，雪崩和动态dV / dt
坚固性
•全面表征的电容和雪崩电压
和当前
•低RDS（on）
•符合RoHS指令2002/95 / EC
应用领域：IRFB20N50KPBF
•开关电源（SMPS）
• 不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
制造商: Vishay
产品种类: MOSFETRoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 110 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 280 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
高度: 15.49 mm
长度: 10.41 mm
系列: IRFB
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.7 mm
商标: Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值: 11 S
下降时间: 33 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 74 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
单位重量: 6 g
