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SI2301CDS-T1-GE3

发布时间:2020/4/28 11:50:00 访问次数:243 发布企业:深圳市翔睿腾科技有限公司

SI2301CDS-T1-GE3

制造商:Vishay Semiconductors

客户编号:

客户编号

说明:

MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:详细信息

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:3.1 A

Rds On-漏源导通电阻:112 mOhms

Vgs -栅极-源极电压:4.5 V

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Qg-栅极电荷:10 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.6 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI2

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay Semiconductors

正向跨导-最小值:9.5 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:35 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:11 ns

零件号别名:SI2301CDS-GE3

单位重量:8 mg

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