RC04V是一个配置为512的FRAM(铁电随机存取存储器)芯片字×8位，采用铁电法工艺和硅栅CMOS工艺技术进行成型非易失存储器单元。与SRAM不同，RC04V能够在不使用数据备份电池的情况下保留数据。用于RC04V的非易失性内存单元的读/写耐力已经提高到at至少1012个周期，在数量上明显优于其他非易失性内存产品。
RC04V在写入内存(如闪存)后不需要轮询序列内存或E2PROM。
RC04V特性
•位配置:512字×8位
•双线串行接口:完全可控的两个端口:串行时钟(SCL)和串行数据(SDA)。
•工作频率:1mhz (Max)
读写耐力:1012次/字节
•数据保留:10年(+ 85°C)，95年(+ 55°C)，200年以上(+ 35°C)
•工作电源电压:3.0 V至5.5 V
•低能耗:当前操作电源90μA (Typ @1 MHz)
待机电流5μA (Typ)
•运行环境温度范围
: - 40°C至+ 85°C
•包装:8针塑料SOP (FPT-8P-M02)
通过无铅认证
