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规格 FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 38nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1018pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 125W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
TONY.ZOU（邹泽凯）
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