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IRFB4410ZPBF

发布时间:2019/12/2 14:31:00 访问次数:35发布企业:深圳市博浩宇科技有限公司

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规格 FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 97A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 58A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 120nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4820pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 230W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3

TONY.ZOU(邹泽凯)
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Tel:(0)13510413731,Fax:86-755-82780609
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Mobile:;QQ:361227457
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