EETimes 报道称，其采用 SK 海力士的第二代 10nm 工艺制造（1y nm 技术 / 四金属层），封装尺寸为 76.22 平方毫米。
TechInsights 指出，海力士的 8Gb DDR4 内存，使用了第一代 21nm 制造工艺，封装尺寸也是 76 平方毫米。不过类似的 DDR5 产品，核心尺寸只有 53.6 平方毫米。
得益于存储密度的增加，SK 海力士有望为 PC 客户打造成本相对较低的 8Gb DDR5 芯片。此外，DDR5 DRAM 还能够带来更高的性能（更高的工作频率）。
为减少影响高频工作稳定性的时钟抖动和占空比失真，SK 海力士必须制作一套新的延迟锁定环（DLL）方案。该公司的选择，是采用相位旋转器和注入锁定振荡器。
此外，该芯片还配备了可修正的前向反馈均衡（FFE）电路，以及全新的写入级别训练方法（同样支持更高频的时钟）。
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