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SK海力士公司今天宣布已开发并开始批量生产全球首款128层1Tb TLC（三层单元）4D NAND闪存，而这仅是在8个月之前才宣布推出96层4D NAND产品之后。
目前，128层1 Tb NAND芯片提供业界最高的垂直堆叠，拥有超过360亿个NAND单元，每个单元存储3个芯片。为实现这一目标，SK海力士应用创新技术，如“超均匀垂直蚀刻技术”，“高可靠性多层薄膜电池形成技术”和超快速低功耗电路设计，自行开发4D NAND技术。
新产品为TLC NAND闪存提供业界最高的1 Tb密度。包括SK海力士在内的多家公司已经开发出1个Tb QLC（四级单元）NAND产品，但SK海力士是第一个将1 Tb TLC NAND闪存商业化的公司。TLC占NAND闪存市场的85％以上，具有出色的性能和可靠性。
小芯片尺寸是4D NAND的最大优势，使SK海力士能够实现超高密度NAND闪存。该公司于2018年10月宣布推出创新的4D NAND，它将3D CTF（Charge Trap Flash）设计与PUC（Peri.Under Cell）技术相结合。
凭借相同的4D平台和流程优化，SK海力士能够将现有96层NAND上多达32层的制造流程总数减少5％。因此，与之前的技术迁移相比，从96层到128层NAND的过渡投资成本降低了60％，显着提高了投资效率。
与公司的96层4D NAND相比，128层1 Tb 4D NAND将每个晶圆的钻头生产率提高了40％。
SK海力士将从今年下半年开始发售128层4D NAND闪存，同时继续推出各种解决方案。
凭借其在单芯片中的四平面架构，该产品在1.2 V时实现了1,400 Mbps（兆位/秒）的数据传输速率，实现了高性能和低功耗的移动解决方案和企业级SSD。
SK海力士计划于明年上半年为主要的旗舰智能手机客户开发下一代UFS 3.1产品。使用128层1 Tb NAND闪存，1 TB（太字节）产品所需的NAND芯片数量（目前是智能手机的最大容量）将比512 Gb NAND减少一半;它将为客户提供移动解决方案，在1毫米薄的封装中功耗降低20％。
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