产品描述：STP55NF06
这些功率MOSFET已经开发出来使用STMicroelectronics独特的STripFET过程，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。 这个
使设备适合用作主要设备切换先进的高效隔离DCDC电信和计算机的转换器应用程序和低门应用程序收费驾驶要求。
特征：STP55NF06
■100％雪崩测试
■出色的dv / dt功能
应用：STP55NF06
■切换应用程序
制造商:STP55NF06
STMicroelectronics
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
60 V
Id-连续漏极电流:
50 A
Rds On-漏源导通电阻:
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:
2 V
Vgs - 栅极-源极电压:
10 V
Qg-栅极电荷:
44.5 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
110 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商标名:
STripFET
封装:
Tube
高度:
9.15 mm
长度:
10.4 mm
系列:
STP55NF06
晶体管类型:
1 N-Channel
类型:
MOSFET
宽度:
4.6 mm
商标:
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值:
18 S
下降时间:
15 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
50 ns
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
36 ns
典型接通延迟时间:
20 ns
单位重量:
2.240 g
