产品描述：STP65NF06
这款功率MOSFET是最新开发的意法半导体独特的“单一特征尺寸”™基于条带的过程。 得到的晶体管显示极高的封装密度，以实现低导通电阻，崎岖的雪崩特征和因此，不太重要的对齐步骤a卓越的制造再现性。
一般特征：STP65NF06
■标准级门驱动器
■100％雪崩测试
应用：STP65NF06
■切换应用程序
制造商:STP65NF06
STMicroelectronics
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
60 V
Id-连续漏极电流:
60 A
Rds On-漏源导通电阻:
14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:
2 V
Vgs - 栅极-源极电压:
10 V
Qg-栅极电荷:
54 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
110 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商标名:
STripFET
高度:
9.15 mm
长度:
10.4 mm
系列:
STP65NF06
晶体管类型:
1 N-Channel Power MOSFET
宽度:
4.6 mm
商标:
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值:
50 S
下降时间:
16 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
60 ns
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
40 ns
典型接通延迟时间:
15 ns
单位重量:
330 mg
