S34ML08G101TFI000

一般说明：S34ML08G101TFI000

赛普拉斯S34ML08G18-GbNAND采用3.3VCC和x8I/O接口。本文档包含有关的信息

S34ML08G1器件，它是两个S34ML04G1芯片的双芯片堆栈。有关详细规格，请参阅分立芯片

数据表：S34ML04G1。

产品特性：S34ML08G101TFI000

密度

-8Gb（4Gb2）

架构（适用于每个4Gb设备）

-输入/输出总线宽度：8位

-页面大小：（2048+64）字节;64字节是备用区

-块大小：64页或（128k+4k）字节

-平面尺寸

-每个平面2048个块或（256M+8M）个字节

-设备尺寸

-每台设备2个平面或512MB

NAND闪存接口

-符合开放式NAND闪存接口（ONFI）1.0

-多路复用的地址，数据和命令

电源电压

-3.3V器件：Vcc=2.7V~3.6V.

安全性

-一次性可编程（OTP）区域

-电源转换期间硬件编程/擦除被禁用

其他功能

-支持多平面编程和擦除命令

-支持复制程序

-支持多平面复制程序

-支持读缓存

电子签名

-制造商ID：01h

工作温度

-工业：40°C至85°C

-汽车：40°C至105°C

产品性能：S34ML08G101TFI000

页面阅读/程序

-随机访问：25μs（最大）

-顺序访问：25ns（Min）

-编程时间/多平面编程时间：200μs（典型值）

块擦除/多平面擦除（S34ML04G1）

-块擦除时间：3.5ms（典型值）

可靠性

-100,000个编程/擦除周期（Typ）

（1位/512+16字节ECC）

-10年数据保留（Typ）

-块0和1有效，至少有效

使用ECC进行1000次编程擦除循环

包装选项

-无铅和低卤素

-48针TSOP12201.2mm

-63-BallBGA9111mm

制造商 CypressSemiconductorCorp
制造商零件编号 S34ML08G101TFI000
描述 ICFLASH8GPARALLEL48TSOPI
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 3（168小时）
详细描述 FLASH-NAND-存储器-IC-8Gb-（1G-x-8）-并联-pval-800-pval-2192-48-TSOP-I
一般信息 数据列表 S34ML08G1;

标准包装 96
包装 托盘
零件状态 Digi-Key停产
类别 集成电路（IC）
产品族 存储器
系列 ML-1


规格 存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH-NAND
存储容量 8Gb（1Gx8）
存储器接口 并联
写周期时间-字，页 25ns
电压-电源 2.7V~3.6V
工作温度 -40°C~85°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 48-TFSOP（0.724"，18.40mm宽）
供应商器件封装 48-TSOPI