FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 93nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5470pF @ 75V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO263-3-2
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
IPP023N08N5AKSA1
BUK768R1-100E,118
TLE5012BE5000XUMA1
TLE5012BE1000
IR3563BMTRPBF
IR38062MTRPBF
IR38060MTRPBF
PVT322SPBF
IPD60R1K0CE
IPD60R400CE
IR3566BMTRPBF
XMC4108F64K64BAXQMA1
XMC4108-F64K64 BA
1ED020I12FA2
TLI4961-1M
IKW40N120T2
IPB083N10N3G
IPA60R650CE
TLV4906K
TLI5012 BE1000
IPD135N03LG
IKW40T120
IRG4BC30SPBF
IRFB4110PBF
IPB049NE7N3G
IKA10N60T
IKW75N60TA
IKW75N60T
IRF6727MTRPBF
IRF60DM206
IPB039N10N3G
公司名：深圳市裕硕科技有限公司
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