供应IPB042N10N3G全新原装原包

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 150μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 117nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8410pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 214W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB）
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB