VAS1260是一个连续模式电感降压转换器，设计用于驱动一个或多个串联的LED高效地从一个电压源的电压高于LED。该器件工作在
5V和60V之间的输入电源，并提供一个外部可调输出高达1.2A的电流。
VAS1260包括输出开关和一个高端输出电流检测电路，它使用一个外部电阻来设定标称平均输出电流。输出电流可调，低于设定值
时，通过施加外部控制信号的'形容词'销。
该器件工作在40°C + 85°℃的温度范围，可在SOT89-5包。
特点：
简单的低零件计数
内部60V的NMOS开关
1.2A的输出电流
PWM调光
高效率（高达97%）
宽范围输入电压：5V至60V
过温保护
高达1MHz的开关频率
固有开路LED保护
典型5%输出电流精度
应用：
建筑，工业，环境和汽车照明
LED MR16，MR111
LED灯泡
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集微网2016年7月27日消息，澜起科技集团有限公司今天宣布，已成功推出全球首颗 Gen2+ DDR4寄存时钟驱动器芯片
(DDR4RCD02+)，该芯片支持的速率高达3200 Mbps，可应用于未来的数据中心服务器平台。同时，澜起科技的Gen2 DDR4
寄存时钟驱动器 (DDR4RCD02) 和数据缓冲器 (DDR4DB02) 套片也顺利通过了 CPU 厂商的认证，支持基于DDR4-2666 DRAM
的服务器平台。
澜起科技集团有限公司今天宣布, 已成功推出全球首颗 Gen2+ DDR4寄存时钟驱动器芯片(DDR4RCD02+)，该芯片支持的速率
高达3200 Mbps，可应用于未来的数据中心服务器平台。
2016年6月，澜起科技在全球范围内率先推出了首颗完全符合最新JEDEC DDR4 RCD（寄存时钟驱动器）标准的DDR4RCD02+
芯片，该芯片不仅继承了第二代DDR4 DDR4RCD02产品的出色特性，如功耗超低、性能稳定等，而且支持的数据速率高达3200
Mbps，较之DDR4RCD02支持的最高速率2666 Mbps有大幅提升。尤为重要的是，DDR4RCD02+支持JEDEC标准的可选功
能--NVDIMM（非易失性双列直插内存模组）模式。NVDIMM是兼有SDRAM内存颗粒和非易失性内存（如NAND Flash）的混
合内存条，但对于内存控制器而言，NVDIMM看起来就跟普通的DDR4 SDRAM内存条一样。有了这个新增的功能，DDR4RCD02+
可以为计算机内存体系拓展出新层级的功能，使下一代数据中心服务器能充分利用非易失性内存的数据持久性优势和DRAM内存
的高速存取优势，实现DRAM速率级的非易失性内存访问。
此前，澜起科技的第二代 DDR4RCD02/DDR4DB02 产品已于2016年5月成功通过了 CPU 厂商基于业内所有 DRAM 平台的
认证，澜起科技也因此成为全球首家提供完整的DDR4-2666内存接口解决方案的供应商。此次认证的成功进一步巩固了澜起科
技在内存接口市场的领导地位，助力澜起科技成为全球DRAM和服务器OEM厂商的首选供应商。
澜起科技总裁戴光辉先生表示：“我非常振奋澜起科技再次成为全球首家推出Gen2+ DDR4内存接口产品的供应商，为满足未来
数据中心的需求提供最先进的产品与服务。在此之前，我们已先后推出全球首款第一代和第二代DDR4内存接口解决方案。如今，
我们将沿着这成功的足迹，继续与我们的生态系统合作伙伴展开密切合作，加速内存技术和产品的研发及创新，以应对数据中心
云计算时代对内存子系统日益增长的需求。”
供货信息
2016年6月，澜起科技的Gen2+ DDR4 寄存时钟驱动器芯片 (M88DR4RCD02+) 的工程样片已经开始发货。该芯片采用253
球FCFBGA封装。2016年第一季度，澜起科技的Gen2 DDR4内存接口套片，包括DDR4寄存时钟驱动器芯片 (M88DDR4RCD02)
和DDR4数据缓冲器芯片 (M88DDR4DB02)，已经量产并批量供货。M88DDR4RCD02芯片采用253球FCFBGA封装，M88DDR4DB02
采用53球FCFBGA封装。欲了解更多信息，请联系当地的澜起科技的销售代表或代理商。
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