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SI4166DY-T1-GE3分立半导体产品

发布时间:2015/5/26 11:12:00 访问次数:192 发布企业:深圳市宏世佳电子科技有限公司

全新原装,公司现货销售

型号:SI4166DY-T1-GE3

品牌:VISHAY

封装:SOP8

参数:

FET类型 MOSFETN通道,金属氧化物
FET功能 标准
漏源极电压(Vdss) 30V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) 30.5A(Tc)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 3.9毫欧@15A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.4V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) 65nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss) 2730pF@15V
功率-最大值 6.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm宽)


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