IRF9530NS
全新原装，公司现货
标准包装 800类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 200 毫欧 @ 8.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 14A
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 58nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 760pF @ 25V
功率 - 最大 3.8W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
数量：5000
