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- XC2S300E-6PQ208Q2023/12/21 9:57:00
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- XC7Z012S-2CLG485E2x USB 20 (OTG)，带有 DMA• 2x Tri-mode 千2023/12/21 9:55:00
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- XC7Z012S-1CLG485C Kintex-7 FPGA 架构实现最佳的性能 / 价格 / 功耗2023/12/21 9:54:00
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- XC7Z010-3CLG400EArtix-7 FPGA 架构实现低功耗和低成本2023/12/21 9:52:00
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- IPW65R041CFD7英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 9:52:00
- 描述：IPW65R041CFD7 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET 采用 TO-247 封装，集成快速体二极管，是谐振高功率拓扑结构的理想之选 英飞凌 650V CoolMOS™ CFD...[全文]
- IPW60R037P7英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 9:52:00
- 描述：IPW60R037P7 优化超结 MOSFET 兼具高能效和易用性 600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过...[全文]
- IPW60R070CFD7英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 9:52:00
- 描述：IPW60R070CFD7 英飞凌对谐振高功率拓扑结构的解答 600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS...[全文]
- IPW60R041C6英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 9:51:00
- 描述：IPW60R041C6 CoolMOS™ C6结合了英飞凌作为业内先进的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进的创新技术C6 器件具备了快速开关超结 MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性。很低的开关和通态损...[全文]
- IPW65R080CFDA英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 9:51:00
- 描述：IPW65R080CFDA 650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先汽车应用高压 CoolMOS™ 功率 MOSFET。650V CoolMOS͐...[全文]
- IPT60R102G7英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 9:51:00
- 描述：IPT60R102G7 使用开尔文源极概念的新型SMD封装 CoolMOS™ C7 Gold 超结 MOSFET 系列（G7）首次将改进型 600V CoolMOS™ C7 Gold 技术优势、4 引脚开...[全文]
- IPT60R055CFD7英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 9:51:00
- 描述：IPT60R055CFD7 英飞凌对谐振大功率拓扑的解答 600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌推出的新型高压超结 MOSFET 技术，具有集成快速体二极管，完善了CoolMOS™ 7系列。 Co...[全文]
- IPT012N06N英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 9:51:00
- 描述：IPT012N06N 英飞凌的 To-无导线封装针对大电流应用进行优化，例如，叉车、轻型电动车 (LEV)、POL（负载点）和电信。这种封装是高功率应用的理想解决方案，这种场合需要高效率、出色的电磁干扰性能以及出色的热性能和节省...[全文]
- IPT60R022S7英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 9:51:00
- 描述：IPT60R022S7 英飞凌旗下最具性价比的 600V CoolMOS™ S7 superjunction MOSFET，采用 TO 无引线型 (TOLL) 封装 英飞凌旗下 600V CoolMOS™...[全文]
- 5-747917-22023/12/21 9:51:00
- 制造商: TE Connectivity 产品种类:D-Sub标准连接器 RoHS: 详细信息 位置数量:37 Position 触点类型:Without Socket Contacts 端接类型:Solder Cup 安装风格:Wi...[全文]
- XC7Z010-3CLG225E28nm 可编程逻辑HPL 工艺实现最佳的性能功耗比2023/12/21 9:51:00
- 采用 CoreSight 技术的双核 ARM Cortex-A9无与伦比的性能功耗比• 选择 ARM Cortex-A9 处理器为常见应用产品实现最佳性能功耗比• 支持单精度和双精度浮点•...[全文]
- IPT030N12N3G英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 9:51:00
- 描述：IPT030N12N3G 采用 TOLL 封装的 120V OptiMOS™ 功率 MOSFET IPT030N12N3 G在额外的击穿电压裕度和低导通电阻 (RDS(on)) 之间达到了出色平衡，是电池供电设备的理...[全文]
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