- IRLB3034PBF英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 10:16:00
- 描述：IRLB3034PBF 40V逻辑电平单n通道StrongIRFET™功率MOSFET，采用TO-220封装 StrongIRFET™功率MOSFET系列针对低RDS(on)和大电流能力进行了优化。该器件...[全文]
- IRLS3036TRL7PP英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 10:16:00
- 描述：IRLS3036TRL7PP 60V HEXFET Power MOSFET, 2- pak 7 优势：IRLS3036TRL7PP针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化产品质量符合JEDEC标准逻辑电平:优化为10v栅极驱动电...[全文]
- IRLML2030TRPBF英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 10:16:00
- 描述：IRLML2030TRPBF 30V单n通道StrongIRFET™功率MOSFET，采用SOT-23封装 StrongIRFET™功率MOSFET系列针对低RDS(on)和大电流能力进行了优化。该器件是...[全文]
- IRLZ44NPBF英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 10:16:00
- 描述：IRLZ44NPBF 55V单n通道功率MOSFET, TO-220封装 IR MOSFET系列功率MOSFET采用成熟的硅工艺，为设计人员提供广泛的器件组合，以支持各种应用，如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池...[全文]
- IRLS3034TRL7PP英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 10:16:00
- 描述：IRLS3034TRL7PP 40V HEXFET Power MOSFET 优势：IRLS3034TRL7PP针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化产品质量符合JEDEC标准逻辑电平:优化为10v栅极驱动电压，可支持4.5 V...[全文]
- IRLMS1503TRPBF英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 10:16:00
- 描述：IRLMS1503TRPBF 功率MOSFET, TSOP-6 (Micro -6) 特征描述：IRLMS1503TRPBF面向广泛SOA的平面单元结构针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化产品质量符合JEDEC标准硅优化的应用...[全文]
- IPZ40N04S5L-2R8英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 10:16:00
- 特征描述：IPZ40N04S5L-2R8OptiMOS™ - 适合汽车应用的功率 MOSFETN 通道 - 增强模式- 逻辑电平AEC 101 认证MSL1 峰值回流温度高达 260°C175°C 的工作温度环保产品（符合...[全文]
- IPZ40N04S5-8R4英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 10:08:00
- 特征描述：IPZ40N04S5-8R4OptiMOS™ - 适合汽车应用的功率 MOSFETN 通道 - 增强模式- 正常电平AEC 101 认证MSL1 峰值回流温度高达 260°C175°C 的工作温度环保产品（符合 ...[全文]
- IPZ40N04S5-3R1英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 10:08:00
- 特征描述：IPZ40N04S5-3R1OptiMOS™ - 适合汽车应用的功率 MOSFETN 通道 - 增强模式- 正常电平AEC 101 认证MSL1 峰值回流温度高达 260°C环保产品（符合 RoHS ）100% ...[全文]
- IPZ40N04S5L-7R4英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 10:08:00
- 特征描述：IPZ40N04S5L-7R4OptiMOS™ - 适合汽车应用的功率 MOSFETN 通道 - 增强模式- 逻辑电平AEC 101 认证MSL1 峰值回流温度高达 260°C175°C 的工作温度环保产品（符合...[全文]
- IPZ40N04S5L-4R8英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 10:07:00
- 特征描述：IPZ40N04S5L-4R8OptiMOS™ - 适合汽车应用的功率 MOSFETN 通道 - 增强模式- 逻辑电平AEC 101 认证MSL1 峰值回流温度高达 260°C175°C 的工作温度环保产品（符合...[全文]
- IPW60R040CFD7英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 10:07:00
- 描述：IPW60R040CFD7 英飞凌对谐振高功率拓扑结构的解答 600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS...[全文]
- IPW60R070P6英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 10:07:00
- 描述：IPW60R070P6 英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 CoolMOS™ P6 中设计，填补了专注于提供最佳性能的技术与更专注于易用性的技术之间...[全文]
- IPW60R040C7英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 10:07:00
- 描述：IPW60R040C7 CoolMOS™ C7超级结 MOSFET 在 PFC 和 LLC 拓扑结构内可提供最佳性能 600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET系列比 CoolMOS&#...[全文]
- IPW60R099P7英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 10:07:00
- 描述：IPW60R099P7 优化超结 MOSFET 兼具高能效和易用性 600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过...[全文]
- IPW60R018CFD7英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 10:07:00
- 描述：IPW60R018CFD7 英飞凌对谐振高功率拓扑结构的解答 600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS...[全文]
- IPW65R110CFDA英飞凌场效应管MOSFET2023/12/21 10:07:00
- 描述：IPW65R110CFDA 650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先汽车应用高压 CoolMOS™ 功率 MOSFET。650V CoolMOS͐...[全文]
- XC7Z020-1CLG400C利用带有安全 ROM 码的片上存储器实现处理器优先引导2023/12/21 10:05:00
- 采用 CoreSight 技术的双核 ARM Cortex-A9无与伦比的性能功耗比• 选择 ARM Cortex-A9 处理器为常见应用产品实现最佳性能功耗比• 支持单精度和双精度浮点•...[全文]
- XC7Z015-2CLG485EPS 与 PL 之间带宽高达 100Gb/s大量并行信号处理实现包括视频处理2023/12/21 10:04:00
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- XC7Z015-1CL485I 64 位 AXI ACP 端口为附加的软处理器实现增强的硬件加速性能和缓存一致性2023/12/21 10:03:00
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