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1.40GHz 1.5MB缓存的Intel® Itanium® 2的双处理器

发布时间:2021/1/31 17:35:58 访问次数:9309

用于技术计算,后者的功耗大约为现有的intel® itanium® 2处理器的一半.

作为现有的基于itanium® 2多达128个或更多处理器的大规模系统,新处理器允许有更低成本和更低功耗的双处理器系统,用在网络边缘,安全和软件工程应用.

这些双处理器平台能帮助it管理者实现日益增长的灵活性和效率.

1.40ghz 1.5mb缓存的intel® itanium® 2处理器最适宜用在双处理器高性能科学技术计算系统和群集器以及入门级企业前端系统.

制造商:vishay 产品种类:肖特基二极管与整流器 产品:schottky diodes 安装风格:smd/smt 封装 / 箱体:micro melf 配置:single 技术:si if - 正向电流:200 ma vrrm - 重复反向电压:50 v vf - 正向电压:0.9 v ifsm - 正向浪涌电流:5 a ir - 反向电流 :5 ua 最小工作温度:- 65 c 最大工作温度:+ 125 c 系列: 封装:cut tape 封装:mousereel 封装:reel 高度:1.15 mm 长度:1.9 mm 类型:small signal schottky diode 宽度:1.15 mm 商标:vishay semiconductors 产品类型:schottky diodes & rectifiers 10000 子类别:diodes & rectifiers 单位重量:12 mg

芯片堆栈的芯片规模封装(csp)的1gb双数据速率(ddr) sdram k4h1g0538和k4h1g0438,在单一封装内有两个512mb ddr sdram芯片.

新的封装解决方案加倍了存储器容量,同时解决了小占位面积时需要更高容量存储器的移动应用和高性能服务器的设计约束.采用这种概念进一步发展,2gb ddr csp将会用1gb ddr sdram芯片来实现.

新的1gb ddr sdram csp和samsung的512mb ddr sdram的封装一样,而存储器容量却提高了一倍.samsung的ddr csp产品有ddr 266和ddr 333型号,尺寸为11.5x12mm.


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


用于技术计算,后者的功耗大约为现有的intel® itanium® 2处理器的一半.

作为现有的基于itanium® 2多达128个或更多处理器的大规模系统,新处理器允许有更低成本和更低功耗的双处理器系统,用在网络边缘,安全和软件工程应用.

这些双处理器平台能帮助it管理者实现日益增长的灵活性和效率.

1.40ghz 1.5mb缓存的intel® itanium® 2处理器最适宜用在双处理器高性能科学技术计算系统和群集器以及入门级企业前端系统.

制造商:vishay 产品种类:肖特基二极管与整流器 产品:schottky diodes 安装风格:smd/smt 封装 / 箱体:micro melf 配置:single 技术:si if - 正向电流:200 ma vrrm - 重复反向电压:50 v vf - 正向电压:0.9 v ifsm - 正向浪涌电流:5 a ir - 反向电流 :5 ua 最小工作温度:- 65 c 最大工作温度:+ 125 c 系列: 封装:cut tape 封装:mousereel 封装:reel 高度:1.15 mm 长度:1.9 mm 类型:small signal schottky diode 宽度:1.15 mm 商标:vishay semiconductors 产品类型:schottky diodes & rectifiers 10000 子类别:diodes & rectifiers 单位重量:12 mg

芯片堆栈的芯片规模封装(csp)的1gb双数据速率(ddr) sdram k4h1g0538和k4h1g0438,在单一封装内有两个512mb ddr sdram芯片.

新的封装解决方案加倍了存储器容量,同时解决了小占位面积时需要更高容量存储器的移动应用和高性能服务器的设计约束.采用这种概念进一步发展,2gb ddr csp将会用1gb ddr sdram芯片来实现.

新的1gb ddr sdram csp和samsung的512mb ddr sdram的封装一样,而存储器容量却提高了一倍.samsung的ddr csp产品有ddr 266和ddr 333型号,尺寸为11.5x12mm.


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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