55英寸4k amqled显示产品采用电致发光量子点技术，分辨率为3840×2160，色域高达119% ntsc，对比度可达1000000：1，在大尺寸显示领域具有广阔的市场空间和应用前景。

在amqled领域，京东方电致发光量子点技术处于国际领先水平。

早京东方就推出5英寸、14英寸采用全喷墨打印工艺的amqled产品样机，并获得国际信息显示学会(sid)best in show奖高度评价。

量子点发光二极管(amqled)被普遍认为是继主动矩阵有机发光二极管(amoled)之后更具颠覆性的下一代显示技术。

大尺寸量子点打印技术和产品的研发是关键突破点。

max723双电源微处理器和max723直流稳压电源系统。每个设备产生一个主输出（3v或5v，可选）和一个负的辅助输出，可用于lcd。每个设备接受两个输入电压。电源可以来自一个主电池（两个或三个碱性或镍镉），或一个不受调节的直流电源，如ac-dc墙壁适配器。

与现有技术相比，max722/max723提供了三个改进。物理尺寸减小；由mosfet功率晶体管实现的高开关频率（高达0.5mhz）允许微小（<5mm直径）表面贴装磁性材料。效率也提高到87%（比双极技术制造的低压调节器高10%）。采用cmos结构和独特的恒关断时间脉冲频率调制（pfm）控制方案，使电源电流降到60μa。

制造氮化镓 hemt 所涉及的每一道工序都必须非常精确，以获得最佳的器件性能和可靠性。宽禁带器件的快速开关、高功率密度和高电压击穿，要求极高质量的外延层和电介质沉积，以及精确的刻蚀和金属沉积。

mocvd在衬底上生长各种外延层，对氮化镓器件的制造至关重要。缺陷密度、晶圆内均匀性和晶圆到晶圆的可重复性是mocvd开发的关键考虑因素，特别是过渡到200mm时。

刻蚀是制造氮化镓器件的关键工艺。其中存在两个明显的难题：一个是氮化镓/铝镓氮的高选择比;另一个是p型氮化镓刻蚀可能存在铝镓氮的过度刻蚀，导致表面粗糙，从而降低表面电阻。带有凹陷栅极的hemt需要一定的铝镓氮厚度，这一厚度必须是精确控制且高度可重复的。原子层精度和先进的工艺终点监测至关重要。