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E810网卡的DDP技术UPF的转发效率

发布时间:2020/11/29 16:07:12 访问次数:11500

为了提升,5g网络会将upf进行下沉,部署在网络的边缘,而非云端。

基于英特尔最新一代的e810网卡的ddp技术,通过软件的方式,来增强对特定协议的识别,从而能够提升upf的吞吐能力,并且降低处理的延迟。

采用这项技术,可以将一些数据报文处理和协议识别的工作,从cpu转移到e810网卡上,进行预处理。 这样可以大幅提升系统的数据处理性能。

网卡直接进行分发处理之后,减少了上层处理的环节,所以对时延也有明显的改善。这非常有利于车联网、工业机器人等时延敏感型场景的应用落地。

安防摄像头是指用在安全防范方面的摄像头,它的主要特点是灵敏度高、抗强光、畸变小、体积小、寿命长、抗震动等从而被广泛应用。

镜头分为小镜头和cs镜头(大镜头)小镜头一般用于小半球和小的摄像机上面,镜头通光量又分f1.2、f1.4和百万高清镜头,选择镜头时尽量选择cs镜头,好的镜头,白天效果会更加真实,晚上更清晰。

监控镜头的安装能直接影响它的使用寿命和所获得的画面质量

室内离地不宜低于2.5m;室外离地不宜低于3.5m。

监控摄像头及其配套装置,如镜头、防护罩、支架、雨刷等,安装应牢固,运转应灵活,应注意防破坏,并与周边环境相协调。

监控摄像头安装应与地绝缘隔离。信号线和电源线应分别引入,外露部分用软管保护,并不影响云台的转动

使用基于氮化镓的高电子迁移率晶体管(hemt)可将充电器的尺寸缩小一半,同时将功率提高到3倍,运行速度是硅基超结金属氧化物半导体场效应晶体管(sjmosret)的20倍。

氮化镓(gan)等宽禁带(wbg)材料逐渐彰显其作为新一代功率半导体骨干材料的潜力。这类材料功耗更低,性能却优于那些已趋成熟的硅器件。消费类充电器、数据中心、5g和电动汽车等应用代表着功率器件主要的增长市场,它们对器件有着相同的需求:更小的尺寸、更大的功率、更低的损耗。

使用基于氮化镓的高电子迁移率晶体管(hemt)可将充电器的尺寸缩小一半,同时将功率提高到3倍,运行速度是硅基超结金属氧化物半导体场效应晶体管(sjmosret)的20倍。


(素材来源:21ic和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

为了提升,5g网络会将upf进行下沉,部署在网络的边缘,而非云端。

基于英特尔最新一代的e810网卡的ddp技术,通过软件的方式,来增强对特定协议的识别,从而能够提升upf的吞吐能力,并且降低处理的延迟。

采用这项技术,可以将一些数据报文处理和协议识别的工作,从cpu转移到e810网卡上,进行预处理。 这样可以大幅提升系统的数据处理性能。

网卡直接进行分发处理之后,减少了上层处理的环节,所以对时延也有明显的改善。这非常有利于车联网、工业机器人等时延敏感型场景的应用落地。

安防摄像头是指用在安全防范方面的摄像头,它的主要特点是灵敏度高、抗强光、畸变小、体积小、寿命长、抗震动等从而被广泛应用。

镜头分为小镜头和cs镜头(大镜头)小镜头一般用于小半球和小的摄像机上面,镜头通光量又分f1.2、f1.4和百万高清镜头,选择镜头时尽量选择cs镜头,好的镜头,白天效果会更加真实,晚上更清晰。

监控镜头的安装能直接影响它的使用寿命和所获得的画面质量

室内离地不宜低于2.5m;室外离地不宜低于3.5m。

监控摄像头及其配套装置,如镜头、防护罩、支架、雨刷等,安装应牢固,运转应灵活,应注意防破坏,并与周边环境相协调。

监控摄像头安装应与地绝缘隔离。信号线和电源线应分别引入,外露部分用软管保护,并不影响云台的转动

使用基于氮化镓的高电子迁移率晶体管(hemt)可将充电器的尺寸缩小一半,同时将功率提高到3倍,运行速度是硅基超结金属氧化物半导体场效应晶体管(sjmosret)的20倍。

氮化镓(gan)等宽禁带(wbg)材料逐渐彰显其作为新一代功率半导体骨干材料的潜力。这类材料功耗更低,性能却优于那些已趋成熟的硅器件。消费类充电器、数据中心、5g和电动汽车等应用代表着功率器件主要的增长市场,它们对器件有着相同的需求:更小的尺寸、更大的功率、更低的损耗。

使用基于氮化镓的高电子迁移率晶体管(hemt)可将充电器的尺寸缩小一半,同时将功率提高到3倍,运行速度是硅基超结金属氧化物半导体场效应晶体管(sjmosret)的20倍。


(素材来源:21ic和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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