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GaN技术半桥负载点转换参考设计

发布时间:2020/7/14 8:31:58 访问次数:1871

pmp22089.1


采用gan技术半桥负载点转换器参考设计



51电子网公益库存:
ICL3222CBZ
ICL3223ECV
ICL3222CVZ
ICL3223EIV
ICL3222EIV
ZXLD1615ET5TA
203D6
NCV78L05ABDR2*
LM201A
LM201ADG
LM201ADG
LM201A
LM201ADR2G
H11G2
MC1489N
T3Q3
MC1489AN
ADP122AUJZ-3.3-R7
74LS174PC
ADP122AUJZ-2.9-R7
ADP122UJZ-REDYKIT
LD3985M122R
LD3985G122R
ADP122AUJZ-3.0-R7
NCV551SN25T1G
NCV551SN30T1G
NCV551SN28T1G
NCV551SN33T1G
ADP122AUJZ-3.0-R7
ADP122AUJZ-3.0-R7
ADP122AUJZ-2.5-R7
HCF4013BEY











功效:

低电压,

高电流功能,

支持fpga pol

使用gan fet

高功率密度

集成平面变压器

产品概述:

pmp22089.1

该参考设计

将舷内变压器匝数比从5:1

修改为3:1,以减小输入范围。

 该电路板支持24 v至32 v的输入电压

以及0.5 v至1.0 v的输出电压

输出电流高达40a。









这种拓扑结构有效地支持高降压比,

同时提供显着的输出电流和可控性。

 原始evm旨在评估lmg5200 gan半桥功率级和

tps53632g半桥负载点(pol)控制器。 

该板将转换器实现为具有电流倍增整流器

单级硬开关半桥。 

该评估板是lmg5200polevm-10

评估模块的重新设计。

(素材:texasinstruments如涉版权请联系删除)


pmp22089.1


采用gan技术半桥负载点转换器参考设计



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ICL3222CVZ
ICL3223EIV
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NCV78L05ABDR2*
LM201A
LM201ADG
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功效:

低电压,

高电流功能,

支持fpga pol

使用gan fet

高功率密度

集成平面变压器

产品概述:

pmp22089.1

该参考设计

将舷内变压器匝数比从5:1

修改为3:1,以减小输入范围。

 该电路板支持24 v至32 v的输入电压

以及0.5 v至1.0 v的输出电压

输出电流高达40a。









这种拓扑结构有效地支持高降压比,

同时提供显着的输出电流和可控性。

 原始evm旨在评估lmg5200 gan半桥功率级和

tps53632g半桥负载点(pol)控制器。 

该板将转换器实现为具有电流倍增整流器

单级硬开关半桥。 

该评估板是lmg5200polevm-10

评估模块的重新设计。

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