GaN技术半桥负载点转换参考设计
发布时间:2020/7/14 8:31:58 访问次数:1871
pmp22089.1
采用gan技术半桥负载点转换器参考设计
- 51电子网公益库存:
- ICL3222CBZ
- ICL3223ECV
- ICL3222CVZ
- ICL3223EIV
- ICL3222EIV
- ZXLD1615ET5TA
- 203D6
- NCV78L05ABDR2*
- LM201A
- LM201ADG
- LM201ADG
- LM201A
- LM201ADR2G
- H11G2
- MC1489N
- T3Q3
- MC1489AN
- ADP122AUJZ-3.3-R7
- 74LS174PC
- ADP122AUJZ-2.9-R7
- ADP122UJZ-REDYKIT
- LD3985M122R
- LD3985G122R
- ADP122AUJZ-3.0-R7
- NCV551SN25T1G
- NCV551SN30T1G
- NCV551SN28T1G
- NCV551SN33T1G
- ADP122AUJZ-3.0-R7
- ADP122AUJZ-3.0-R7
- ADP122AUJZ-2.5-R7
- HCF4013BEY
功效:
低电压,
高电流功能,
支持fpga pol
使用gan fet
高功率密度
集成平面变压器
产品概述:
pmp22089.1
该参考设计
将舷内变压器匝数比从5:1
修改为3:1,以减小输入范围。
该电路板支持24 v至32 v的输入电压
以及0.5 v至1.0 v的输出电压,
输出电流高达40a。
这种拓扑结构有效地支持高降压比,
同时提供显着的输出电流和可控性。
原始evm旨在评估lmg5200 gan半桥功率级和
tps53632g半桥负载点(pol)控制器。
该板将转换器实现为具有电流倍增整流器
单级硬开关半桥。
该评估板是lmg5200polevm-10
评估模块的重新设计。
(素材:texasinstruments如涉版权请联系删除)
pmp22089.1
采用gan技术半桥负载点转换器参考设计
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- ICL3223ECV
- ICL3222CVZ
- ICL3223EIV
- ICL3222EIV
- ZXLD1615ET5TA
- 203D6
- NCV78L05ABDR2*
- LM201A
- LM201ADG
- LM201ADG
- LM201A
- LM201ADR2G
- H11G2
- MC1489N
- T3Q3
- MC1489AN
- ADP122AUJZ-3.3-R7
- 74LS174PC
- ADP122AUJZ-2.9-R7
- ADP122UJZ-REDYKIT
- LD3985M122R
- LD3985G122R
- ADP122AUJZ-3.0-R7
- NCV551SN25T1G
- NCV551SN30T1G
- NCV551SN28T1G
- NCV551SN33T1G
- ADP122AUJZ-3.0-R7
- ADP122AUJZ-3.0-R7
- ADP122AUJZ-2.5-R7
- HCF4013BEY
功效:
低电压,
高电流功能,
支持fpga pol
使用gan fet
高功率密度
集成平面变压器
产品概述:
pmp22089.1
该参考设计
将舷内变压器匝数比从5:1
修改为3:1,以减小输入范围。
该电路板支持24 v至32 v的输入电压
以及0.5 v至1.0 v的输出电压,
输出电流高达40a。
这种拓扑结构有效地支持高降压比,
同时提供显着的输出电流和可控性。
原始evm旨在评估lmg5200 gan半桥功率级和
tps53632g半桥负载点(pol)控制器。
该板将转换器实现为具有电流倍增整流器
单级硬开关半桥。
该评估板是lmg5200polevm-10
评估模块的重新设计。
(素材:texasinstruments如涉版权请联系删除)
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