双通道集成式射频 (RF) 前端多芯片模块正逻辑控制
发布时间:2020/6/11 15:10:42 访问次数:2604
adrf5545a
双通道 2.4 ghz 至 4.2 ghz 接收器前端
- 51电子网公益库存:
- SII9777CLUC
- SNAA048AZCVR
- STM32F103CBT6
- STD2HNK60Z-1
- T-626-KK81+
- STM8S207RBT6CTR
- APM9945KC-TRL
- APM9948KC-TRL
- AS3616A-AFCT-11
- CM150DY-24NF
- CC1101RTKR
- CDCV304TPWREP
- CC6207
- CC6207DN
- CC6207ST
- ADUM5402WCRWZ-1RL
- BAL-0009SMG
- BAV99
- BLF7G27LS-140
- EMB17A03G
- EQ6R200
- CM2020-00TR
- EJ60N10
- F28M35H52C1RFPT
- F3L200R12W2H3-B11
- FJ10R12
- FJ12P10
- FJ50R2.4
- FJ6P20
- ET60P33
- CT41-0603-50V-0.1渭F卤10锛�-X7R
- F3L200R12W2H3-B11
- ASM4554256T-5101F
- BS412
- EP4CE10F17C8N
- FP25R12W2T4
- CM8870PI
- CY15B016Q-SXE
- DTC143ZETL
功能：
集成式双通道 rf 前端
2 级 lna 和高功率 spdt 开关
片内偏置和匹配
单电源供电
增益
低噪声指数
高隔离
105°c 时具有高功率处理能力
整个生命周期
lte 平均功率 (9 db par)：40 dbm
单一事件（<10 秒运行）
lte 平均功率 (9 db par)：43 dbm
高 oip3：32 dbm（典型值）
关断模式和低增益模式（针对 lna）
低电源电流
正逻辑控制
6 mm × 6 mm
40 引脚
lfcsp 封装
应用：
无线基础设施
tdd 大规模多输入
多输出以及有源天线系统
基于 tdd 的通信系统
产品描述：
adrf5545a
是一款双通道集成式射频 (rf)
前端多芯片模块，
专为工作频率为 2.4 ghz 至 4.2 ghz
时分双工 (tdd) 应用而设计。
采用双通道配置，
包含级联两级低噪声放大器 (lna)
高功率硅单刀双掷 (spdt) 开关。
在发射过程中，
当 rf 输入连接到端电极引脚
（term-cha 或 term-chb）时，
该开关提供 0.65 db 的低插入损耗，
并在整个生命周期内处理 40 dbm
长期演进 (lte)
平均功率（9 db 峰值/平均值比 (par)）
而在单一事件（<10 秒）
lna 保护模式下为 43 dbm。
(素材：analog.如涉版权请联系删除）
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双通道 2.4 ghz 至 4.2 ghz 接收器前端
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- FJ12P10
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功能：
集成式双通道 rf 前端
2 级 lna 和高功率 spdt 开关
片内偏置和匹配
单电源供电
增益
低噪声指数
高隔离
105°c 时具有高功率处理能力
整个生命周期
lte 平均功率 (9 db par)：40 dbm
单一事件（<10 秒运行）
lte 平均功率 (9 db par)：43 dbm
高 oip3：32 dbm（典型值）
关断模式和低增益模式（针对 lna）
低电源电流
正逻辑控制
6 mm × 6 mm
40 引脚
lfcsp 封装
应用：
无线基础设施
tdd 大规模多输入
多输出以及有源天线系统
基于 tdd 的通信系统
产品描述：
adrf5545a
是一款双通道集成式射频 (rf)
前端多芯片模块，
专为工作频率为 2.4 ghz 至 4.2 ghz
时分双工 (tdd) 应用而设计。
采用双通道配置，
包含级联两级低噪声放大器 (lna)
高功率硅单刀双掷 (spdt) 开关。
在发射过程中，
当 rf 输入连接到端电极引脚
（term-cha 或 term-chb）时，
该开关提供 0.65 db 的低插入损耗，
并在整个生命周期内处理 40 dbm
长期演进 (lte)
平均功率（9 db 峰值/平均值比 (par)）
而在单一事件（<10 秒）
lna 保护模式下为 43 dbm。
(素材：analog.如涉版权请联系删除）
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