集成式双通道 RF 前端ANT和TERM端口
发布时间:2020/5/22 17:02:40 访问次数:4719
adrf5515
双通道3.4 ghz至3.8 ghz 20 w接收器前端
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功能：
集成式双通道 rf 前端
2 级 lna 和高功率硅 spdt 开关
片内偏置和匹配
单电源供电
tcase = 105°c 时具有高功率处理能力
整个生命周期
lte 平均功率 (9 db par)：43 dbm
单一事件（运行时间 <10 秒）
lte 平均功率 (9 db par)：待定
高 oip3：32 dbm（典型值）
关断模式和低增益模式（针对 lna）
低电源电流
高增益模式：5v 时为 86 ma（典型值）
低增益模式：5v 时为 36 ma（典型值）
关断模式：5v 时为 12 ma（典型值）
正逻辑控制
6 mm × 6 mm
40 引脚
lfcsp 封装
应用：
无线基础设施
tdd 大规模多路输入
多路输出和有源天线系统
基于 tdd 的通信系统
产品描述：
aadrf5515
是一款双通道集成式射频(rf)
前端多芯片模块，
专为工作频率为3.4 ghz至3.8 ghz
时分双工(tdd)应用而设计。
采用双通道配置，
包含级联两级低噪声放大器(lna)
高功率硅单刀双掷(spdt)开关。
在高增益模式下，
级联两级lna
开关提供1.0 db
低噪声指数(nf)
33 db的高增益
（频率为3.6 ghz）
以及32 dbm（典型值）
输出3阶交调点(oip3)。
在低增益模式下，
两级lna的一级处于旁路状态，
在36 ma的较低电流下
提供16 db的增益。
在关断模式下，
lna都会关闭且器件功耗为12 ma。
(素材：analog.如涉版权请联系删除）
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整个生命周期
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单一事件（运行时间 <10 秒）
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关断模式和低增益模式（针对 lna）
低电源电流
高增益模式：5v 时为 86 ma（典型值）
低增益模式：5v 时为 36 ma（典型值）
关断模式：5v 时为 12 ma（典型值）
正逻辑控制
6 mm × 6 mm
40 引脚
lfcsp 封装
应用：
无线基础设施
tdd 大规模多路输入
多路输出和有源天线系统
基于 tdd 的通信系统
产品描述：
aadrf5515
是一款双通道集成式射频(rf)
前端多芯片模块，
专为工作频率为3.4 ghz至3.8 ghz
时分双工(tdd)应用而设计。
采用双通道配置，
包含级联两级低噪声放大器(lna)
高功率硅单刀双掷(spdt)开关。
在高增益模式下，
级联两级lna
开关提供1.0 db
低噪声指数(nf)
33 db的高增益
（频率为3.6 ghz）
以及32 dbm（典型值）
输出3阶交调点(oip3)。
在低增益模式下，
两级lna的一级处于旁路状态，
在36 ma的较低电流下
提供16 db的增益。
在关断模式下，
lna都会关闭且器件功耗为12 ma。
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