LED的光电参数有哪些?
发布时间:2011/6/16 15:32:08 访问次数:4433
视角、正向工作电流、正向工作电压、v-i,特性等。
1)光谱分布和峰值波长
一般而言,led发出的光并非单一波长的光,往往由许多不同波长的光所组成,而
且不同波长的光在其中所占的比例也不同。led的光谱分布与制得的所用化合物半导体
种类、性质及pn结的结构(外延层厚度、掺杂杂质)等有关,而与器件的几何形状、封
装方式无关。
2)发光强度iv
定义发光强度的概念时,要求光源是一个点光源,或者要求兆源的尺寸和探测器的
面积与离光探测器的距离相比足够小。为了解决这个问题,使测量结果可通用比较,cie
推荐使用平均发光强度,即照射在离led -定距离处的光探测器上的光通量与由探测
器构成的立体角的比值。
关于近场条件下的led测量,cie有两个推荐的标准条件:cie标准条件a和cie
标准条件b,见表2-5。这两个条件都要求所用的探测器有一个面积为1 cii12(相应直径为
11.3 mm)的圆入射孔径。
表2-5 cie推荐的近场标准条件
┏━━━━━━━┳━━━━━━━━━━━━━━┳━━━━━━━┳━━━━━━━━━━┓
┃ cie推荐 ┃ led顶端到探测器的距离d ┃ 立体角 ┃ 平面角(全角) ┃
┣━━━━━━━╋━━━━━━━━━━━━━━╋━━━━━━━╋━━━━━━━━━━┫
┃ 标准条件a ┃ 316 mm ┃ 0,001 sr ┃ 2。 ┃
┣━━━━━━━╋━━━━━━━━━━━━━━╋━━━━━━━╋━━━━━━━━━━┫
┃ 标准条件b ┃ 100 mm ┃ o.ol sr ┃ 6.5。 ┃
┗━━━━━━━┻━━━━━━━━━━━━━━┻━━━━━━━┻━━━━━━━━━━┛
40
50
60
70
80
3)光谱半宽度△a
光谱半宽度是指峰值发射波长的辐射功率的l,2所对应两波长的间隔。
30 20 10 1.0 10 20 30
┏━┳━━┳━┓
┃ ┃弋 ┃ ┃
┃ ┣━━┫ ┃
┃ ┃; ┃ ┃
┗━┻━━┻━┛
图2-12 led发光强度角的分布
4)半值角和视角
40 半值角(旦)是指发光强度值为轴向强度
2
50
值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。半
60 值角的2倍为视角(或称半功率角)。
70 图2-12中给出了两个不同型号led发光强
80 度角的分布情况。中垂线(法线)的坐标为相
对发光强度(即发光强度与最大发光强度之
比)。显然,法线方向上的相对发光强度为1,
离开法线方向的角度越大,相对发光强度越小。由此图可卧得到半值角或视角的值。
5)正向工作电流厶
指led正常发光时的正向电流值。在实际使用中,应根据需要选择if在0.6 if以下。
6)正向工作电压诈
元件参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的,一般是在if= 20 ma时
测得的。普通led的正向工作电压vf为1.4~3 v。
当外界温度升高时,vf将下降。
7) v-i特性
led的v-/特性表征了led芯片pn结性能的
主要参数。led的v-i特性具有非线性、单向导电性,即外加正偏压时表
现为低接触电阻,反之表现为高接触电阻。由v-i
曲线可以得出led的正向电压、反向电流及反向电
压等参数。
19,不同应用场合对led的技术参数要求有何
不同?
led是利用半导体pn结或类似结构把电能转换为光能的器件,它不仅具有光源的一
般特性,而且还具有普通半导体二极管的特性,因此评价led的性能,必须用光学、电
学、热学及辐射安全和可靠性与寿命等方面的参数来进行。
led的性能参数非常多,与传统光源有很大的不同。有人将led的技术参数分为八
大类,即光度量、辐射度量、色度量、几何量、电学量、热学量、时域量及其他量,具体
参数约有60个。中国计量科学院(我国led权威性检测机构之一)根据仝国各单位近几
年中送检的情况发现,发光强度、光通量、辐射强度和辐射通量是最主要的测量项目;其
次是相关色温、半宽度(带宽)、显色指数和波长;再次是半强度角、结温和热阻。随着
功率型led的发展,电量中总电容的测量呈日趋增多的趋势,led有效寿命的测量也成
为检测项目之一。由于led的开关参数、正向压降、反向电流和反向电压的测量比较简
单,所以几乎没有单位送检。
在led的众多技术参数中,有些是关键性参数,有些是比较重要的参数,有些是不重
要的参数。led的应用场合不同,对其参数的要求也就不同。从光学性能来看,对于用于
显示的led,人们所注重的参数是亮度、视角分布和颜色等;而对于用于普通照明的led,
人们则更注重光通量、光束的空间分布、颜色和显色性等参数;对于生物应用的led,人
们则更关心有效辐射功率和有效辐射照度等参数。
视角、正向工作电流、正向工作电压、v-i,特性等。
1)光谱分布和峰值波长
一般而言,led发出的光并非单一波长的光,往往由许多不同波长的光所组成,而
且不同波长的光在其中所占的比例也不同。led的光谱分布与制得的所用化合物半导体
种类、性质及pn结的结构(外延层厚度、掺杂杂质)等有关,而与器件的几何形状、封
装方式无关。
2)发光强度iv
定义发光强度的概念时,要求光源是一个点光源,或者要求兆源的尺寸和探测器的
面积与离光探测器的距离相比足够小。为了解决这个问题,使测量结果可通用比较,cie
推荐使用平均发光强度,即照射在离led -定距离处的光探测器上的光通量与由探测
器构成的立体角的比值。
关于近场条件下的led测量,cie有两个推荐的标准条件:cie标准条件a和cie
标准条件b,见表2-5。这两个条件都要求所用的探测器有一个面积为1 cii12(相应直径为
11.3 mm)的圆入射孔径。
表2-5 cie推荐的近场标准条件
┏━━━━━━━┳━━━━━━━━━━━━━━┳━━━━━━━┳━━━━━━━━━━┓
┃ cie推荐 ┃ led顶端到探测器的距离d ┃ 立体角 ┃ 平面角(全角) ┃
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┃ 标准条件a ┃ 316 mm ┃ 0,001 sr ┃ 2。 ┃
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┃ 标准条件b ┃ 100 mm ┃ o.ol sr ┃ 6.5。 ┃
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40
50
60
70
80
3)光谱半宽度△a
光谱半宽度是指峰值发射波长的辐射功率的l,2所对应两波长的间隔。
30 20 10 1.0 10 20 30
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┃ ┃弋 ┃ ┃
┃ ┣━━┫ ┃
┃ ┃; ┃ ┃
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图2-12 led发光强度角的分布
4)半值角和视角
40 半值角(旦)是指发光强度值为轴向强度
2
50
值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。半
60 值角的2倍为视角(或称半功率角)。
70 图2-12中给出了两个不同型号led发光强
80 度角的分布情况。中垂线(法线)的坐标为相
对发光强度(即发光强度与最大发光强度之
比)。显然,法线方向上的相对发光强度为1,
离开法线方向的角度越大,相对发光强度越小。由此图可卧得到半值角或视角的值。
5)正向工作电流厶
指led正常发光时的正向电流值。在实际使用中,应根据需要选择if在0.6 if以下。
6)正向工作电压诈
元件参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的,一般是在if= 20 ma时
测得的。普通led的正向工作电压vf为1.4~3 v。
当外界温度升高时,vf将下降。
7) v-i特性
led的v-/特性表征了led芯片pn结性能的
主要参数。led的v-i特性具有非线性、单向导电性,即外加正偏压时表
现为低接触电阻,反之表现为高接触电阻。由v-i
曲线可以得出led的正向电压、反向电流及反向电
压等参数。
19,不同应用场合对led的技术参数要求有何
不同?
led是利用半导体pn结或类似结构把电能转换为光能的器件,它不仅具有光源的一
般特性,而且还具有普通半导体二极管的特性,因此评价led的性能,必须用光学、电
学、热学及辐射安全和可靠性与寿命等方面的参数来进行。
led的性能参数非常多,与传统光源有很大的不同。有人将led的技术参数分为八
大类,即光度量、辐射度量、色度量、几何量、电学量、热学量、时域量及其他量,具体
参数约有60个。中国计量科学院(我国led权威性检测机构之一)根据仝国各单位近几
年中送检的情况发现,发光强度、光通量、辐射强度和辐射通量是最主要的测量项目;其
次是相关色温、半宽度(带宽)、显色指数和波长;再次是半强度角、结温和热阻。随着
功率型led的发展,电量中总电容的测量呈日趋增多的趋势,led有效寿命的测量也成
为检测项目之一。由于led的开关参数、正向压降、反向电流和反向电压的测量比较简
单,所以几乎没有单位送检。
在led的众多技术参数中,有些是关键性参数,有些是比较重要的参数,有些是不重
要的参数。led的应用场合不同,对其参数的要求也就不同。从光学性能来看,对于用于
显示的led,人们所注重的参数是亮度、视角分布和颜色等;而对于用于普通照明的led,
人们则更注重光通量、光束的空间分布、颜色和显色性等参数;对于生物应用的led,人
们则更关心有效辐射功率和有效辐射照度等参数。
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