1、结型场效应管（jfet）

（1）结构原理 它的结构及符号见图1。在n型硅棒两端引出漏极d和源极s两个电极，又在硅棒的两侧各做一个p区，形成两个pn结。在p区引出电极并连接起来，称为栅极go这样就构成了n型沟道的场效应管

图1、n沟道结构型场效应管的结构及符号 由于pn结中的载流子已经耗尽，故pn基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，从图1中可见，当漏极电源电压ed一定时，如果栅极电压越负，pn结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流id就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，id变大，所以用栅极电压eg可以控制漏极电流id的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。

（2）特性曲线

1）转移特性

图2（a）给出了n沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线，称为转移特性曲线，它和电子管的动态特性曲线非常相似，当栅极电压vgs=0时的漏源电流。用idss表示。vgs变负时，id逐渐减小。id接近于零的栅极电压称为夹断电压，用vp表示，在0≥vgs≥vp的区段内，id与vgs的关系可近似表示为：

id=idss（1-|vgs/vp|）

其跨导gm为：gm=（△id/△vgs）|vds=常微（微欧）|

式中：△id------漏极电流增量（微安）

------△vgs-----栅源电压增量（伏）

图2、结型场效应管特性曲线 2）漏极特性（输出特性）

图2(b)给出了场效应管的漏极特性曲线，它和晶体三极管的输出特性曲线 很相似。

①可变电阻区（图中i区）在i区里vds比较小，沟通电阻随栅压vgs而改变，故称为可变电阻区。当栅压一定时，沟通电阻为定值，id随vds近似线性增大，当vgs＜vp时，漏源极间电阻很大（关断）。ip=0；当vgs=0时，漏源极间电阻很小（导通），id=idss。这一特性使场效应管具有开关作用。

②恒流区（区中ii区）当漏极电压vds继续增大到vds＞|vp|时，漏极电流，ip达到了饱和值后基本保持不变，这一区称为恒流区或饱和区，在这里，对于不同的vgs漏极特性曲线近似平行线，即id与vgs成线性关系，故又称线性放大区。

③击穿区（图中ⅲ区）如果vds继续增加，以至超过了pn结所能承受的电压而被击穿，漏极电流id突然增大，若不加限制措施，管子就会烧坏。

2、绝缘栅场效应管

它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，简称mos场效应管。

（1）结构原理

它的结构、电极及符号见图3所示，以一块p型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的n型区，作为源极s和漏极d。在硅片表覆盖一层绝缘物，然后再用金属铝引出一个电极g（栅极）由于栅极与其它电极绝缘，所以称为绝缘栅场面效应管。

图3、n沟道（耗尽型）绝缘栅场效应管结构及符号 在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的n区接通，形成了导电沟道，即使在vgs=0时也有较大的漏极电流id。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流id随着栅极电压的变化而变化。

场效应管的式作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。

（2）特性曲线

1）转移特性（栅压----漏流特性）

图4（a）给出了n沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移行性曲线，图中vp为夹断电压（栅源截止电压）；idss为饱和漏电流。

图4（b）给出了n沟道增强型绝缘栅场效管的转移特性曲线，图中vr为开启电压，当栅极电压超过vt时，漏极电流才开始显著增加。

2）漏极特性（输出特性）

图5（a）给出了n沟道耗尽型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。

图5(b)为n沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 。

图4、n沟道mos场效管的转移特性曲线

图5、n沟道mos场效应管的输出特性曲线 此外还有n衬底p沟道（见图1）的场效应管，亦分为耗尽型号增强型两种，

各种场效应器件的分类，电压符号和主要伏安特性（转移特性、输出特性）